本報記者 吳文婧 見習記者 杜卓蔓

    11月30日晚間，露笑科技公告稱，公司非公開發(fā)行股票的申請獲得中國證監(jiān)會審核通過。

    露笑科技此前發(fā)布非公開發(fā)行預案顯示，本次非公開發(fā)行擬募集資金總額不超過10億元（含10億元），發(fā)行股票數量不超過4.53億股（含本數），不超過本次非公開發(fā)行前總股本的30%。

    本次定增募投項目包括“新建碳化硅襯底片產業(yè)化項目”、“碳化硅研發(fā)中心項目”和“償還銀行貸款”。其中，新建碳化硅襯底片產業(yè)化項目擬投入6.5億元，生產碳化硅襯底片等產品，以滿足國內外快速增長的6英寸及以上尺寸級別的碳化硅襯底片市場需求。

    據悉，第三代半導體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內容。碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和漂移速度以及更高的抗輻射能力，是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想材料，是未來半導體產業(yè)發(fā)展的重要方向，將成為支撐5G網絡建設、新能源汽車及充電樁、特高壓輸變電及軌道交通等“新基建”的關鍵核心材料。

    據記者了解，露笑科技從2018年下半年開始組建碳化硅晶體生長爐制造攻關小組，2019年7月份成功研制出晶體生長爐并開始批量銷售；2020年9月份與合肥市長豐縣簽署碳化硅產業(yè)園投資項目，11月28日正式開工建設。

    目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。露笑科技方面稱，擬以本次定增為契機，規(guī)?；a6英寸半絕緣及導電碳化硅襯底片，拓展碳化硅在5GGaN-on-SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）、SiC肖特基二極管（SBD）、SiC金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）等元器件、芯片方面的應用。

（編輯 何帆）